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摘要 本公开提供一种冷源晶体管器件,包括:基底层;冷源层,冷源层设置于基底层;条带层,条带层与冷源层连接,并通过相同材料制备;栅介质层,栅介质层的部分形成于冷源层的部分,栅介质层的部分覆盖条带层的部分;栅电极,栅电极设置于栅介质层;其中,冷源层和条带层连接的界面形成为同质结,栅介质层覆盖同质结。
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专利名称：具有冷源极的金属氧化物半导体场效应晶体管专利类型：发明专利 发明人：刘飞,王健,郭鸿 申请号：CN201980037287.6 申请日：20190606 公开号：CN112424917A 公开日：20210226 专利内容由知识产权出版社提供 摘要：提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件。所述器件包括：衬底；在所述衬底上的氧化...
武继璇. 新型冷源晶体管器件与材料的研究探索[OL]. 2023-03-25 00:00. 线上. https://www.koushare.com/video/details/53069 复制 MLA 武继璇. 新型冷源晶体管器件与材料的研究探索. https://www.koushare.com/video/details/53069. 线上.
国际著名出版社Springer Nature旗下计算科学期刊《npj 2D Materials and Applications》,近期发表电气与自动化学院郭宇铮教授课题组、工业科学研究院张召富研究员等人,应用“冷”金属材料探索晶体管的超陡峭亚阈值和负微分电阻效应的最新研究成果。 论文题目为《Computational study of transition metal dichalcogenide cold sour...
1.本技术涉及集成电路领域,尤其涉及一种冷源结构和冷源结构金属氧化物半导体场效应晶体管。 背景技术: 2.随着集成电路cmos工艺不断发展,集成电路功耗问题愈来愈为人重视。在器件尺寸不断缩小的同时,集成电路的功耗却在不断增长,因此设计低功耗器件,降低集成电路功耗变得越来越重要。无论是晶体管的静态功耗还是动态功耗...