光生伏打效应使得PN结两边出现电压,叫做光生电压。使PN结短路,就会产生电流。 编辑本段原理 半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结;金属和半导体接触的界面;不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属-绝缘体-半导体组成的MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有...
光生伏打效应的形成是由于大气层中的静电和空气的放电所引起的,这种放电又可分为直接放电和电压差法两种。直接放电是指雷暴中云之间发生的直接电流放出,而电压差法是指在两个不同云层之间形成的电势差,使得两个云层之间产生电流放出。 光生伏打效应有其独特的生态作用,它可以在大气中扩散电子、氧离子及其它微粒,...
光生伏打效应(Photovoltaic effect)光生伏打效应是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。光生伏打效应--(可制作光电池、光敏二极管、光敏三极管和半导体位置敏感器件传感器);侧向光生伏特效应(殿巴效应)--(可制作半导体位置敏感器件(反转光敏二极管)传感器);PN结光生伏特效应--(可制作光电池、光敏二极管和光敏三极...
的伏打电池,受到阳光照射时会产生额外的伏打电势,他把这种现象称为光生伏打效 应。 1883 年,有人在半导体硒和金属接触处发现了固体光伏效应。后来就把能够产 生光生伏打效应的器件称为光伏器件。 当太阳光或其他光照射半导体的 PN 结 时,就会产生光生伏打效应。光生伏打效 应使得 PN 结两边出现电压,叫做...
光生伏打效应是指物体由于吸收光子而产生电动势的现象,是当物体受光照时,物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。这种效应是由法国物理学家A.E.贝克勒尔于1839年意外地发现的。当两种不同材料所形成的结受到光辐照时,结上产生电动势。它的过程先是材料吸收光子的能量,产生数量相等的正﹑负电荷...
1.光生伏打效应 第一章光生伏打效应 1. 定义 是指物体由于吸收光子而产生电动势的现象，是当物体受光照时，物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。严 格来讲，包括两种类型：一类是发生在均匀半导体材料内部；一类是 发生在半导体的...
光生伏打效应的原理可以用以下步骤来解释: 1. 光吸收:当光照射到材料表面时,光子与材料中的原子或分子相互作用。光子的能量被传递给材料中的电子。 2. 能级跃迁:光子的能量足够高时,能够使得材料中的电子从束缚态跃迁到传导态。在束缚态,电子受到原子核的束缚,无法自由移动。而在传导态,电子能够自由地在材料中...
光生伏打效应,也称为外光电效应或基表面光电效应,是指在光照射下,电子从金属表面逸出的现象。它是物理学家继电磁感应和静电场效应之后第三个证实光具有电磁波特性的实验,也是光子(光子被视为光量子)概念确定的重大事件之一。 1905年,爱因斯坦以黑体辐射理论为基础,提出了光子假说,认为光以粒子的形式存在。他进一步...
1、光生伏打效应光生伏打效应是指物体由于吸收光子而产生电动势的现象,是当物体受光照时,物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。严格来讲,包括两种类型:一类是发生在均匀 半导体材料内部;一类是发生在半导体的界面。虽然它们之间 有一定相似的地方,但产生这两个效应的具体机制是不相同的。 通...
半导体pn结太阳能电池是根据光生伏打效应工作的.当有光照射pn结时,pn结两端会产生电势差,这就是光生伏打效应.当pn结两端接有负载时,光照使pn结内部产生由负极指向正极的电流即光电流,照射光的强度恒定时,光电流是恒定的,已知该光电流为IL;同时,pn结又是一个二极管,当有电流流过负载时,负载两端的电压V使二极管正向...