掩膜版缺陷检测是半导体光刻工艺中的关键环节,旨在检查掩膜版并识别修复其上的缺陷。掩膜版作为光刻工艺中至关重要的组件,负责将电路图案精确转移到晶圆上,其品质直接关乎晶圆图案的精确度及最终器件的性能表现。缺陷类型多样,涵盖颗粒污染、图形断裂、桥接问题以及掩膜版材料本身的瑕疵。 EUV掩膜版缺陷检测设备是一种专用...
本申请的光刻掩膜版的缺陷检测方法包括：获取当前光刻掩膜版的图片数据；将所述当前光刻掩膜版的图片数据发送到训练完成的光刻掩膜版缺陷识别模型中，得到当前光刻掩膜版的缺陷数据；基于所述当前光刻掩膜版的缺陷数据，有选择性地确定当前所述当前光刻掩膜版的缺陷数据对当前光刻掩膜版的质量影响数据的类别，通过上述配置...
通过本发明的修复方法,在光刻掩膜版的透明基底上的缺陷孔中形成透明材料,以减小照射到缺陷孔中的入射光和照射到缺陷孔外侧的透明基底表面上的入射光之间的光程差,进而避免由于缺陷孔在晶圆上成像问题的出现,改善光刻掩膜版的质量,提高利用该光刻掩膜版成像的准确性和精度,进而提高半导体器件制备工艺的良率和形成器件的...
一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法说明:本发明提供一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法,涉及半导体技术领域。所述修复方法包括:提供...专利查询请上爱企查
黄宽信硕士上海交通大学微电子学院2008年06月30日掩膜版雾状缺陷改善与光刻良率提升摘要在半导体业大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的要求下,如何有效降低掩膜版的雾状缺陷产生的频率,以提高产品良率是半导体业界重大的挑战之一,特别是在光刻波长进入到193nm世代之后,掩膜版雾状缺陷越发严重,成为必须立即改善...
一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法说明:本发明提供一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法,涉及半导体技术领域。所述修复方法包括:提供...专利查询请上爱企查
光刻掩膜版缺陷的修复方法包括:提供基底,所述基底包括相互分立的第一区和第二区,所述基底表面具有掩膜版;在所述第一区的掩膜版内,形成第一开口,所述第一开口的底部暴露出基底的顶部表面;在所述第一开口的侧壁形成第一保护层;形成所述第一保护层之后,在所述第二区的掩膜版内形成第二开口,所述第二开口底部...
光刻掩膜版缺陷的修复方法包括:提供基底,所述基底包括相互分立的第一区和第二区,所述基底表面具有掩膜版;在所述第一区的掩膜版内,形成第一开口,所述第一开口的底部暴露出基底的顶部表面;在所述第一开口的侧壁形成第一保护层;形成所述第一保护层之后,在所述第二区的掩膜版内形成第二开口,所述第二开口底部...