光刻技术的工作原理如图所示。用紫外光照射镂空掩膜,调整镂空掩膜、缩图透镜的位置,恰好能在硅片上成极小的清晰的像,从而实现集成电路的“光刻”,下列说法正确的是( ) A.
光刻技术原理如图:当光源发出强紫外线光时,调节镂空掩膜版和缩图透镜之间的距离,使光通过二者后,恰好在硅片上成清晰的像,从而实现纳米级集成电路的“雕刻”。缩图透镜属于的类型可用于矫正 (选填“近”或“远”)视眼,为了使硅片上所成的像更小一些,应将掩膜版 缩图透镜的同时,硅片 缩图透镜。(以上两空均选...
物理(2023湘潭)(多选)光刻技术的工作原理如图所示。 用紫外光照射镂空掩膜,调整镂空掩膜、缩图透镜的位置,恰好能在硅片上成极小的清晰的像,从而实现集成电路的“光刻” ,下列说法正确的是( ) A.缩图透镜相当于凸透镜,凸透镜可以用于矫正近视眼 B.镂空掩膜位于缩图透镜的二倍焦距以内 C.镂空掩膜的像是倒立、缩...
光刻技术的工作原理如图所示,用紫外光照射镂空掩膜,这样镂空掩膜会更明亮,调整锁空掩膜、缩图透镜的位置,恰好能使镂空掩膜缩小的像成在硅片上,从而实现集成电路的“光刻”,下列说法正确的是( )A. 缩图透镜相当于一个凸透镜,对光有发散作用 B. 若此时缩图透镜上有一个蜜蜂形状的小污点,则光屏上会出现一个蜜蜂...
(3分)光刻技术的工作原理如图所示,用紫外光照射镂空掩膜,这样镂空掩膜会更明亮,调整镂空掩膜、缩图透镜的位置,恰好能使镂空掩膜缩小的像成在硅片,从而实现集成电路的“光刻”,下列说法正确的是( )A. 缩图透镜相当于凸透镜,凸透镜可以用于矫正近视眼 B. 镂空掩膜位于缩图透镜的二倍焦距以内 C. 镂空掩膜的像是...
EUV光刻原理如上图所示:光源采用气体喷射靶激光等离子体光源或同步辐射光工作气体为氙 e)气。利用激光能或电能轰击靶材料产生等离子体,等离子体发EUV辐射,EUV辐射经过由周期性多层薄膜反射镜组成的聚焦系统入射到反射掩模上.出的EUV光波再通过反射镜组成的投影系统,将反射掩模上的集成电路的几何图形成像到硅片上的光刻...
光刻技术是现代半导体集成电路的关键一环,其工作原理(如图所示)。光源发出强紫外光,调整镂空掩膜版和缩图透镜之间的距离,使光通过二者后,恰好能在硅片上成清晰的像,从而实现纳米级集成电路的“雕刻”,下列说法正确的是( ) A. 缩图透镜是凸透镜 B. 在硅片上形成的像是实像 C. 此成像原理与投影仪的成像原理相...
15.光刻技术是制作纳米级芯片集成电路的基石,其工作原理如图所示:紫外线照射到绘制有“电路”的缕空掩胶上,通过缩图透镜投射,“电路”在涂有光刻胶的硅紫外线片上成清晰的像,从而制造出集成电路。下列说法正确的是空掩A.缩图透镜对光线具有发散作用B.硅片上所成的像是正立的虚像透C.硅片位于缩图透镜的二倍焦...
1.紫外光刻原理 Photo lithography（也指optical lithography或UV lithography），即借助“光”来实现图形转移。主要利用光化学反应原理把事先制备在掩模版（简称掩模，mask）上的图光刻胶形转印到晶圆上的过程。不妨理解为，需要先做出设计的图形（手型），然后借助“光”将光刻掩模版（手）的图形，按照一定比例投影到...
光刻技术是利用缩图透镜将绘制在掩膜上的电路图通过光源投射到涂有光刻胶的硅片上,从而制造出集成电路的方法,其工作原理如图所示。若图示中掩膜上的电路图恰好在硅片上成清晰缩小的像,下列说法正确的是( )A. 掩膜上的电路图在硅片上成虚像 B. 掩膜位于缩图透镜的二倍焦距以外 C. 硅片位于缩图透镜的一倍焦距...