[0004]本发明的技术解决方案:GaN HEMT低界面态绝缘栅,其结构是AlGaN/GaN异质结材料I上是SiN钝化层2,SiN钝化层2上是YO氧化层5,YO氧化层5上是HfO2介质6,HfO 2介质6的中间是栅帽金属7。[0005]其制作方法,包括如下步骤: 1)在已生长SiN钝化层(2)的AlGaN/GaN异质结材料(I)上通过光刻或电子束曝光、介质刻蚀、...
所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法的第一优选技术方案,所述外延衬底材料为n型或p型的4H-SiC或6H-SiC,其掺杂浓度为1×1013～1021cm-3,所述外延的厚度为0.1～500μm。 所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法的第二优选技术方案,所述清洗的方法为本领域技术人员熟知的各种清洗方法,尤其是RCA标准清洗...
摘要 本发明公开了一种低界面态器件的制造方法,包括:-对衬底上的III族氮化物层进行远程等离子体表面处理;通过无氧传输系统将已处理的衬底转移至沉积腔室;以及在沉积腔室中在所述已处理的衬底上进行沉积。所述沉积可以是低压化学气相沉积(LPCVD)。通过集成低损伤远程等离子体表面处理和低压化学气相沉积技术,可以显著降低...
低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法说明:本发明涉及一种低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法。按照本发明提供的技术方案,一种低界面...专利查询请上爱企查
摘要 本发明公开了一种低界面态密度的SiCMOS电容制作方法,主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是:对N-SiC外延材料进行清洗处理;离子注入N+离子到外延层中后,干氧氧化一层SiO2;对氧化后的样片,依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理;采用化学气相淀积在冷处理...
摘要 本实用新型公开一种低界面态异质结光伏器件,包括p型晶硅衬底,所述p型晶硅衬底的底面设有背电极,p型晶硅衬底的顶面由下至上依次层叠有n型发射膜层、透明导电层与前电极,所述p型晶硅衬底的顶面呈凹凸的绒面结构;该异质结器件具有晶格匹配好、界面态密度低的优点,转换效率高,增强异质结光伏器件的整体性能...
一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法说明:本发明提供一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法,所述方法包括1)清洗碳化硅外延衬底;2)氧化...专利查询请上爱企查
一种匹配(Al,In)GaN材料的超低界面态界面结构及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种匹配(Al,In)GaN材料的超低界面态界面结构及其制备方法说明:一种匹配(Al,In)GaN材料的超低界面态界面结构及其制备方法,所述超低界面态界面结构包括:...专利查询请上爱企查
In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法第33专第d期】996年8月半导体情报SEM】CoNDUCToR]NFORMATIoNVo1.33.No.4Aug,】996In0_53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法管玉固戴国瑞赵军(吉林大学电子工程系,长膏.130013)j摘要采用PECVD技术.以TEOS为源,对In.Ga0,47As材料进行表面钝化,研究了SiO/In5Ga...
一种降低SiCMOS界面态密度的表面预处理方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种降低SiCMOS界面态密度的表面预处理方法说明:本发明涉及半导体器件性能改进技术领域,一种降低SiCMOS界面态密度的表面预处理方法,包括以下...专利查询请上爱企查