1. 保护电路:在某些情况下,为了防止MOS管因过压或过流而损坏,可以通过栅漏短接来降低管子的敏感度,从而提高电路的可靠性。 2. 简化电路设计:在某些应用中,为了简化电路设计,可以通过栅漏短接来减少所需的元件数量,从而降低成本和提高可靠性。 3. 调节电路性能:栅漏短接还可以改变MOS管的工作状态,从而影响整个...
1.控制栅电流大小 栅电流可以影响场效应管工作状态,而栅漏电阻的大小可以控制栅电流的大小。当栅漏电阻较大时,栅电流较小,可以减小FET的电流放大系数,并且减少FET的非线性畸变,提高电路的线性度。 2.提高电路稳定性 栅漏电阻的输入输出信号之间存在一个反馈回路,可以使电路的增益和幅频特性得到稳定。在高频电路中,...
栅漏电流是指PN结在截止时流过的很微小的电流。其计算公式为：i=kcu(μa)；其中k值为栅漏电流常数，单位为μa(v·μf)。简介 目录· 电源 · 电容 · 计算公式 · 相关词条 · 参考资料 · 电源 · 电容 · 计算公式 · 相关词条 · 参考资料 电源 开关电源中为了减少干扰，按照国标，必须设有EMI滤波...
隧道电流是指在关态下,栅极和漏极之间的绝缘层(通常为氧化层)存在微小的缺陷或杂质,导致电子通过这些缺陷或杂质隧道效应流向栅极。隧道电流与绝缘层的质量和厚度、温度等因素有关。 关态漏电流是指MOSFET在关态下,漏极与源极之间的电流。这种漏电流主要由三个部分组成:漏源极电流、栅漏极电流和井漏极电流。 漏...
GaN器件的主要栅漏电机制(一) 对于不同的器件结构,在栅极结构形成过程中,由于所选取的半导体材料和金属结构不同,所形成的金-半接触其电流输运机制也会存在差异。对于本文所研究的GaN HEMT器件,因为受到异质结表面的非理想因素和器件栅极结构特殊性等影响,导致关于其栅漏电机制的研究变得更为复杂。在长期的研究过程...
栅漏电流是指在MOSFET器件中,当栅极电压为0时流过漏结的电流。其主要来自于源极/漏极区域外侧小面积的PN结处的反向漏电流和界面态引起的隧道效应等。了解栅漏电流的产生机制对于优化MOSFET器件具有重要作用。 1.栅漏电流产生原理 栅漏电流主要来自于源极/漏极区域外侧小面积的PN结处的反向漏电流和界面态引起的隧道...
栅漏电阻是指在场效应管或双极晶体管等半导体器件中,因为控制引脚的电流很小,相对来说很容易产生自然渗透现象,在阻抗小的条件下使得一部分电流经过了其他结构介质而发生泄漏。漏电阻就是表示这种情况下的当量电阻,以确保电子设备工作的安全性和可靠性。 2.栅漏电阻的指标 ...
栅漏[电阻]栅漏[电阻]（grid leak）是2019年公布的物理学名词。公布时间 2019年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处 《物理学名词》 (第三版)。
栅漏是提出了一种基于左手介质的新型介质栅漏波天线,并采用多模网络与严格模匹配相结合的方法,对该左手介质栅天线的辐射特性进行了仔细严格的分析.文中给出了漏波系数随天线结构参数变化的关系以显示该左手介质天线特有的性质.数值结果表明这种新型漏波天线比传统介质栅天线具有更强的辐射能力.讨论了产生这种现象的原因...