一、 数控加工工艺一般过程 图2-2-1 数控加工工艺过程示意图 用数控机床上加工工件时,首先应先根据工件图样,分析工件的结构形状、尺寸和技术要求,以此作为制定工件数控加工工艺的依据。 制订数控加工工艺过程,首先,要确定工件数控加工的内容、要求;然
在硅片制造领域,半导体抛光片生产工艺流程中,在完成拉晶、硅锭加工、切片成型环节后,在抛光环节,为了得到平整洁净的抛光片需要通过CMP设备及工艺来实现。 在集成电路制造领域,芯片制造过程按照技术分工主要可分为薄膜淀积、CMP、光刻、刻蚀、离子注入等工艺环节,各工艺环节实施过程中均需要依靠特定类型的半导体专用设备。
生长多层绝缘膜→在绝缘膜上制作层间导通孔和布线沟槽→在表面形成阻挡金属层和打底金属层→埋置Cu→对Cu和阻挡金属层进行CMP研磨制成平坦的Cu布线双大马士革工艺 3、vs 单大马士革工艺 单大马士革工艺:将单层金属导线制作由传统的金属蚀刻、电介质沉积改为电介质蚀刻、金属填充 双大马士革工艺:相比于单大马士革工艺,两...
除了喷砂处理外,拋丸处理亦是其中的一个很好选择。 喷砂工艺可分为气压喷枪及叶轮拋丸两种,而喷砂工艺的优点在于它能够除披峰、去除在压铸、冲压、火焰切割和锻压后的毛刺,对较薄工件及有毛孔的毛刺效果更好,它可清理砂铸过程残余的砂粒、清理铸铁件或钢材的锈渍、清理热处理、烧悍、热锻、辗压等热工序后的除氧化...
随着制造变得越来越复杂，创新的结构几何形状、新型材料和自动化工艺，表面处理必须跟上。传统的清洁方法（例如水浴、溶剂擦拭或工业清洗机）可能不足以始终如一地准备每个表面的整体。表面处理是指改变表面的分子构成，使其与粘合剂、油墨、涂料、油漆或其他表面相互作用，从而在两者之间形成牢固的结合。粘附基本上是发生...
这种制造工艺的主要缺点之一是:如果栅极掩模未对准,则其产生寄生重叠输入电容C gd和C gs,电容C gd因为反馈电容而更为有害。作为铣刀电容的结果,晶体管的切换速度降低。 选择多晶硅的另一个原因是MOS晶体管的阈值电压与栅极和沟道之间的功函数差异相关。此前,当工...
所以今天,为大家带来成型、表面加工、连接、切割等四个方面共100大工艺动图,希望能对大家有所帮助!~ 塑料成型 01 注塑 — 一种工业产品生产造型的方法。产品通常使用橡胶注塑和塑料注塑。注塑还可分注塑成型模压法和压铸法。注射成型机(简称注射机或注塑机)是将热塑性塑料或热固性料利用塑料成型模具制成各种形状的...
工艺成本:真空电镀过程中,工件需要喷涂,装载,卸载和再喷涂,所以人力成本相当高,但是也取决于工件的复杂度和数量。 环境影响:真空电镀对环境污染很小,类似于喷涂对环境的影响。 02.电解抛光 —— Electropolishing —— 电抛光是一种电化学过程,其中浸没在电解质中的工件的原子转化成离子,并由于电流的通过而从表面移...
2、相对于搪塑工艺的优点。搪塑工艺和PU喷涂工艺的第一部分是软质仪表板表皮的主要制造工艺，但与搪塑工艺相比，PU喷涂具有许多优点，例如可以实现双色仪表板表面，使造型设计更加灵活；设备也比较简单，可以大大降低能耗，特别是近几年PU粉状原料的降价，使得有利于回收的PU表皮价格可能与传统PVC表皮竞争。模内转印（...
特别是：在CMP工艺的每一个环节，其相关设备及材料对工艺效果有关键影响：CMP材料主要包括抛光液、抛光垫、钻石碟、清洗液等。CMP抛光垫：主要作用是储存和运输抛光液、去除磨屑和维持稳定的抛光环境等；CMP抛光液：是研磨材料和化学添加剂的混合物，可使晶圆表面产生一层氧化膜，再由抛光液中的磨粒去除，达到抛光的...