势垒层是**电子从阴极进入阳极的通道,由高能电子形成的密度很高的区域**^[1][2]^。在两电极间电位差的作用下,多数电子随外加电压产生定向流动,形成电流;而一些能量较高的少数电子可越过势垒到达另一侧,即跨越式迁移或隧穿效应。因此势垒层的存在对晶体管的工作特性有较大影响,确定合适的势垒厚度以及控制入射电子...
《肖特基接触金属对AlGaN势垒层应变影响研究》是依托山东大学，由林兆军担任项目负责人的面上项目。中文摘要 近些年来，AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaN HFET）一直作为半导体电子器件研究领域的热点而引起人们的广泛关注和极大兴趣。AlGaN/GaN异质结构的肖特基接触是AlGaN/GaN HFET的重要组成部分，肖特基接触金属对...