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TPHR8504PL是一种MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它是40 Volt N-沟道MOSFET,由N型沟道和P型衬底构成,而P-沟道MOSFET则由P型沟道和N型衬底构成。 TPHR8504PL N-沟道MOSFET的工作原理是通过控制栅极电压来控制沟道的导电性。当栅极电压高于阈值电压时,沟道打开,导电性增强,允许电流从源极流向漏极。反之,当...
TPHR8504PL,L1Q N-沟道MOSFET的工作原理是通过控制栅极电压来控制沟道的导电性。当栅极电压高于阈值电压时,沟道打开,导电性增强,允许电流从源极流向漏极。反之,当栅极电压低于阈值电压时,沟道关闭,导电性降低,电流无法通过。 如果需要采购原装TPHR8504PL,L1Q器件,或者查看更多PDF文档,可以随时联系我们。
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完整型号 TPHR8504PL.LQ(M1 包装 标准卷带 零件状态 有源 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列 U-MOSIX-H FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 40V Vgs(最大值) ±20V 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SOP 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 型号 TPH...
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