高温反偏试验(HTRB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件 温度高150℃; 电压高2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 高温门试验(HTGB) MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度高150℃; 电压高2000V 美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等 ...
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