现有的LDNMOS结构如图1所示,LDNMOS包括P型单晶Si基底I以及在基底I上形成的栅氧化层2和多晶硅栅极3。在P型单晶Si基底中具有包括形成了源区5的P阱4,P阱4可通过诸如硼的任何P型元素的离子注入或扩散来形成,源区5通过诸如砷的任何N型元素的离子注入或扩散来形成。在P型单晶Si基底I中还具有包括形成了漏区7的N-...
本发明提供了一种LDNMOS的制造方法,该方法包括:提供一P型基底;在P型基底中形成浅沟槽隔离STI,所述STI位于要形成的N阱中,且位于要形成的漏区与多晶硅栅极之间;通过离子注入形成P阱;在N阱对应位置表面形成具有间隔的阻挡层,以该阻挡层为遮蔽,进行离子注入形成N阱后去除所述具有间隔的阻挡层;所述具有间隔的阻挡层...
1.一种60V高边LDNMOS结构(200)的制造方法,包括步骤提供P型硅衬底(201),在其上依次注入形成N型埋层(202)和热生长P型外延层 (203);在所述P型外延层(203)中高能注入第一 N型杂质,并经高温扩散形成低浓度的高压 N阱(204),作为所述高边LD匪OS结构(200)的高压阱以及高压器件的自隔离;依照标准CMOS工艺在所述...
本发明公开了一种基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片,全隔离LDNMOS包括P型衬底、高压N阱、N型漂移区、若干STI、P型体区、源区、漏区、闸极和N型漂移区的全隔离区;制作方法包括以下步骤:利用LDPMOS的P型漂移区的制作步骤生成N型漂移区的全隔离区。本发明利用LDPMOS的P型漂移区的制作步骤生成全隔离LDNM...
专利名称 新型隔离型LDNMOS器件及其控制电路 申请号 2021107487865 申请日期 2021-07-02 公布/公告号 CN113540250A 公布/公告日期 2021-10-22 发明人 刘陵刚 专利申请人 山东汉旗科技有限公司 专利代理人 - 专利代理机构 - 专利类型 发明专利 主分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 住所 山东省...
摘要 本实用新型提供了一种大电流密度的LDNMOS结构,所述LDNMOS结构的源区和背栅之间为间隔设置,所述源区和所述背栅采用小尺寸,在所述LDNMOS结构的增强型N沟道层下设有N阱环,所述N阱环的底部靠近N型埋层,用于构建深保护环。本实用新型能够缩短LDNMOS结构的布线距离,降低导线上电阻,进而减小开关的导通电阻。另外...
专利名称 LDNMOS结构及其制造方法 申请号 2011103322906 申请日期 2011-10-27 公布/公告号 CN103094337B 公布/公告日期 2015-08-19 发明人 凌龙 专利申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 专利代理人 牛峥;王丽琴 专利代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 专利类型 发明专利 主分类号 H01L29/78(2006.01)...
摘要 本发明提供一种60V高边LDNMOS结构及其制造方法,该方法包括步骤:提供P型硅衬底,在其上依次形成N型埋层和P型外延层;在P型外延层中注入磷,并经高温扩散形成低浓度的高压N阱;在P型外延层上制作多个场氧化隔离;在LDNMOS的源区部分图形曝光,注入硼和砷,并经高温扩散形成P型体区;在P型体区和场氧化隔离之间的...
2.如权利要求1所述的高压隔离型LDNMOS器件,其特征在于:所述高压深N阱的掺杂离子为磷离子、体浓度为1016～1018个/cm3,是通过离子注入形成,注入能量为2000KeV,并随后进行温度为1000℃～1200℃、时间为数小时的高温退火;所述高压P阱一和二的掺杂离子为硼离子、体浓度为1016～1018个/cm3,是通过离子注入形成,注...
摘要 本发明公开了一种高压隔离型LDNMOS器件,包括了一深N阱、沟道区、源区、漏区以及多晶硅栅,在漏区和沟道区之间的深N阱中形成有浅沟槽隔离,在浅沟槽隔离底部的深N阱中形成有一高压P阱和低压N阱,器件的漂移区由漏区和沟道区间的深N阱、低压N阱以及高压P阱组成。本发明还公开了该高压隔离型LDNMOS器件的制...