上期讲解的主要是栅触发GCNMOS,还可以通过体触发实现ESD防护。这类NMOS被称为STNMOS(Sub-stratetriggering NMOS),如图一所示。 图一.STNMOS示意图。 这类NMOS是将部分电流注入到Protection NMOS的衬底中,协助开启Protection NMOS中的寄生NPN三极管(前面的章节已经讲过NMOS中存在的NPN三极管)。体触发便是将维持电流Ih注...
GGSCRs: GGNMOS Triggered silicon controlled rectifiers for ESD protection in deep sub-micron CMOS processes 所用工艺:<0.25um CMOS工艺> 器件剖面:<剖面> TLP测试数据:<测试数据图表> 文章结论与创新点:<自拟> 本文提出了一种新的器件GGSCR,通过引入外部触发源来触发SCR器件,从而降低SCR器件的触发电压。同时...
二極體串 ESDDiode StringElectrostatic Discharge (ESD) has always been one of the most important reliability issues for an integrated circuit (IC) design. The principle of ESD is to use a ESD protection circuit to bypass excess electrostatic charges that come in contact with the IC pins and ...
4 结论 本文通过器件仿真工具MEDICI分析了对深亚微米ESD保护器件GGNMOS产生影响的关键因素,得到仿真数据,这些数据可以为设计提供指导,有利于提高设计效率,设计出高性能的ESD保护器件,降低设计成本。 参考文献 [1]Nitin Mohan,Auil Kumar.Modeling ESD Protection.IEEE POTENTIALS.February/ March,2005 [2]Jung-Hoon ...
摘要:本文采用MEDICI作为集成电路ESD保护常用器件―栅极接地NMOS管(GGNMOS)ESD性能分析的仿真工具,综合分析了各种对GGNMOS的ESD性能有影响的因素,如衬底掺杂、栅长、接触孔距离等,为深亚微米下ESD保护器件GGNMOS的设计提供了依据。通过分析发现衬底接触孔到栅极距离对GGNMOS器件ESD性能也有一定影响,此前,对这一因素的...
首先,基于0.5tamBipolar—CMOS—DMOS(BCD)I艺设计并制备了一系列GGNMOS待测器件;其次,通过传输线脉冲测试,分析了叉指宽度与叉指数对GGNMOS器件ESD失效电流()的影响,结果表明,在固定总宽度下适当减小叉指宽度有利于提高L;最后,比较了平行式与交错式两种金属布线方案对的影响,结果表明,平行式金属布线下GGNM0S器件的...
esd保护器件ggnmos二次击穿前的建模 modeling of esd protection device ggnmos before second breakdown.pdf,第38卷第5期 微电子学 V01.38,No.5 2008年10月 Microelectronics Oct.2008 刘瑶1’2,姚若河2,高英俊1 (1.广西大学物理科学与工程技术学院。南宁530004;2
For decades, a traditional workhorse device for ESD protection for standard applications in CMOS technology has been the grounded-gate NMOS device (ggNMOS). Nevertheless, we have been explaining the operation of this device countless times, including as recently as 3 weeks ago. So, it is time ...
ggnmos叉指宽度与金属布线对esd防护性能的影响 effects of finger width and metal routing of ggnmos on esd protection 第33卷 第2期 固体电子学研究与进展 V01.33,No.2 2013年4月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Apr.,2013 GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD 防护性能的影响+ 梁海莲1’2董树荣2顾晓峰r峄李明亮2韩雁2...
一种基于SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构[发明专利] 优质文献 相似文献栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响 静电保护绝缘层上硅传输线脉冲测试栅接地n型金属-氧化物-半导体 ESD protectionSOITLP testGGNMOS采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electro... 恩云飞,何玉娟,罗宏伟,... - 《固...