同时关于GCNMOS的布局布线也有相对应的要求,其实ESD电路的关键点还是在版图上(有机会了再展开讲讲)。 这期也只是讲解了GCNMOS的基本原理,现阶段GCNMOS已经开始利用栅体双耦合的效应以实现面积最大利用率,甚至出现了多米诺链式ESD防护结构(有机会了可以讲讲(✺ω✺))。 上期讲了最基本的GCNMOS的工作原理,这期作为...
也就是说,在某种程度上,栅极长度的增加并不能提高GGNMOS ESD的耐压水平。 图13 GGNMOS ESD characteristics under different gate length L 同时,从图13也可以看出,当栅极长度L约为0.4μm时,Vt2约为8V的值较小,It2约为1.33A的值较大,因此,GGNMOS ESD具有最佳的特性。 3.3 SCGS(源极的接触点到栅的间距)...
栅极接地的 N-MOS(ggNMOS)是一种常见的 ESD 保护器件,基本器件结构如左图所示。一种简单的电路连接方式是,栅、源、衬底三端接地,漏端与 I/O 管脚连接。当 ESD 应力在漏端产生时,漏端电压随之上升,漏-衬底结反偏。当反偏电压增大到一定程度,雪崩击穿发生,然后产生的空穴将会漂移到衬底电极位置,形成很大的...
燕东微董秘：尊敬的投资者您好，GGNMOS是一种常规的ESD静电保护器件，主要应用在CMOS集成电路里的静电保护模块。投资者：请问董秘，贵公司最近公布的专利：瞬态电压抑制器及其制造方法CN108198812B，适用于什么工作场景？对公司未来发展有何意义？燕东微董秘：尊敬的投资者您好，瞬态电压抑制器是一种浪涌保护器件，可以...
每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问： 贵公司最近发布的专利GGNMOS器件以及集成电路申请公布号CN218769543U，适用于什么工作场景？对公司未来发展有何意义？燕东微（688172.SH）5月26日在投资者互动平台表示，GGNMOS是一种常规的ESD静电保护器件，主要应用在CMOS 集成电路里的静电保护模块。(记者 王可然)免责...
当ESD事件发生时,栅极接地NMOS晶体管是很容易被静电所击穿的.NMOS器件的ESD保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性.文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究,利用特殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件.文章基于0.13μ m硅化物CMOS工艺,设计并制作了各种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管,通过TLP测试获得...
对IC产品实现ESD防护的手段有很多种,TVS是一种经常用到的配合用器件,一般将TVS并联在需要防护的器件两端,帮助其抵抗大电流过冲,IC在电路设计上有时候也用非常简单的二极管作为ESD防护器件,但二极管很难做到高要求的产品,于是就有了我们的ESD保护神器--GGNMOS。
GGNMOS(栅极接地的NMOS)是一种常用的ESD(静电放电)保护器件。其工作原理如下: 在正常工作情况下,GGNMOS处于高阻态,并联在PAD与GND轨间,不会影响电路的正常工作状态。当ESD电流从PAD进入IC后,整个回路电压提升。当电压达到Drain(N)/Sub(P)的反偏击穿电压后,器件体内Drain/P-sub会发生雪崩击穿,大量雪崩击穿产生的...
GGNMOS 是一种常用的 ESD 防护结构,其基本工作原理是,当输入电压超过一定的阈值时,NMOS 的栅极和源极之间会形成一个击穿通道,将过高的电压引导到地线,从而保护内部电路。 优点: 1. **设计简单**:GGNMOS 结构相对简单,易于设计和实现。 2. **防护效果好**:在大多数情况下,GGNMOS 能够有效地防止 ESD 造成的...
GGSCRs: GGNMOS Triggered silicon controlled rectifiers for ESD protection in deep sub-micron CMOS processes 所用工艺:<0.25um CMOS工艺> 器件剖面:<剖面> TLP测试数据:<测试数据图表> 文章结论与创新点:<自拟> 本文提出了一种新的器件GGSCR,通过引入外部触发源来触发SCR器件,从而降低SCR器件的触发电压。同时...