一文速通天线效应(Antenna Effect) 在芯片生产过程中,暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体,就像是一根根天线,会收集电荷(如等离子刻蚀产生的带电粒子)导致电位升高。天线越长,收集的电荷也就越多,电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅,那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿,使电路失效,这种现象我们称之为...
天线效应（Antenna Effect）是集成电路（IC）制程中的一个现象，特别是在CMOS工艺中更为常见。这个效应源于在半导体制程过程中，如等离子体刻蚀和化学气相沉积等步骤中，金属或多晶硅互连线（Interconnects）会积累来自这些步骤的电荷，导致其像天线一样运作。为了解决这一问题，集成电路设计和制程中采取了一系...
通常，我们用“antenna ratio”来衡量一颗芯片能发生“antenna effect”的几 率。“antenna ratio”的定义是：构成所谓“天线”的导体（一般是metal）的面积与所相连的gate oxide的面积的比率。这个比率越大，就越容易发生 antenna effect。这个值的界定与工艺和生产线有关，经验值是300：1。我们 可以通过DRC来保证...
Antenna effect-天线效应天线效应,更正式的称为离子导致的栅氧损坏(plasma induced gate oxide damage),会在MOS 集成电路制造过程中引起良率和可靠性的问题。 6 W7 K1 C2 I0 N, p1 G5 , W晶圆厂通常会提供天线规则(antenna rules),通过遵 19、受这些规则可以消除这些问题。对这些 规则的违背称作 antenna ...
antenna effect 英 [ænˈtenə ɪˈfekt] 美 [ænˈtenə ɪˈfekt]网络 天线效应
天线效应(Antenna effect)一个小尺寸MOS管的栅极与具有很大面积的第一层金属线连接在一起，在刻蚀第一层金属是，这片金属就像一根“天线”，收集离子，使其电位升高，在制造过程中可能MOS管的栅电压可增大到使栅氧化层击穿，这个击穿不可恢复。这个就是天线效应。任何与栅极连接的大片的导电材料，包括...
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IRdrop_AntennaEffect_EM电迁移 IR压降（IR-Drop） IR压降是指出现在集成电路中电源和地网络上电压下降或升高的一种现象。随着半导体工艺的演进金属互连线的宽度越来越窄，导致它的电阻值上升，所以在整个芯片范围内将存在一定的IR压降。IR压降的大小决定于从电源PAD到所计算的逻辑门单元之间的等效电阻的大小。SoC...
Antenna_effect-天线效应 下载积分:200 内容提示: 版图设计中的天线效应 最近做版图设计中 经常要考虑到天线效应 常用插入二极管的方法来消除天线效应 下面给出天线效应的解释 打个简单的比方 在宏观世界里 广播、电视的信号 都是靠天线收集的 在我们芯片里 一条条长的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体 就象是 ...
Normally the first way to fix antenna effect is changing metal layers. Insering diode is thelast way. P&R tools can handle this automatically.其实foundry提供的PAE ratio,只是一个经验值,是留了很大的margin的。即便你的设计有antenna violation,也可以tapeout的可通过插入二极管的方法来解决天线效应,这样当...