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品牌:其它 型号:STP80NF70 封装:TO-220 批号:2017 FET类型:N-Channel 漏源电压(Vdss):68V 漏极电流(Id):98A 漏源导通电阻(RDS On):mOhms 栅源电压(Vgs):V 栅极电荷(Qg):nC 反向恢复时间:- 最大耗散功率:- 配置类型:Single 工作温度范围:-55~150°C 安装类型:Through Hole 应用领域:3C数码,医疗电...
MOSFET、IGBT和GaN HEMT适合做大功率逆变器。 一、 MOSFET MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)适合用于低压、高频率和低功率应用,因为它具有灵敏度高、导通电阻小等优点。但是,当需要处理高功率时,MOSFET会出现热失控的问题,因此不适合用于高功率应用。但是一些特殊的MOSFET...