如图2所示为本发明提供的一种提高读噪声容限和写裕度的亚阈值sram存储单元电路结构示意图,包括第一nmos管mn1、第二nmos管mn2、第三nmos管mn3、第四nmos管mn4、第五nmos管mn5、第六nmos管mn6、第七nmos管mn7、第八nmos管mn8、第一pmos管mp1、第二pmos管mp2、第三pmos管mp3、第四pmos管mp4,第五nmos管mn5...
摘要:本发明公开了一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路,该电路可以消除半选问题,同时解决读半选问题和写半选问题,不会带来稳定性问题,同时没有额外的功耗消耗,实验测得当列译码单元(CMUX)为4时,总数为128的阵列的读动态功耗和写动态功耗分别比传统6T单元下降81.3%和88.2%;同时,该电路大幅提高...
(54)发明名称一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路(57)摘要本实用新型公开了一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路,该电路包括:四个PMOS管P1～P4和八个NMOS管N1～N8;其中,NMOS管N1和PMOS管P1组成一个反相器A1,该反相器A1输入端接字线WL,输出端接NMOS管N4的栅极,所述PMOS管...
一种提高读噪声容限和写裕度的亚阈值SRAM存储单元电路,属于集成电路技术领域。本发明的电路中第一PMOS管MP1、第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3和第三PMOS管MP3构成第一反相器,第二PMOS管MP2、第二NMOS管MN2、第四NMOS管MN4和第四PMOS管MP4构成第二反相器,用于存储相反的数据,即存储点Q和存储点QB的数据;第七NMO...
噪声容限 释义 noise margin 噪声容限,噪声安全系数; 行业词典 公路科技 noise margin 电子学 noise margin
一种提高读噪声容限和写裕度的亚阈值SRAM存储单元电路,属于集成电路技术领域。本发明的电路中第一PMOS管MP1、第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3和第三PMOS管MP3构成第一反相器,第二PMOS管MP2、第二NMOS管MN2、第四NMOS管MN4和第四PMOS管MP4构成第二反相器,用于存储相反的数据,即存储点Q和存储点QB的数据;第七NMO...
摘要 一种提高读噪声容限和写裕度的亚阈值SRAM存储单元电路,属于集成电路技术领域。本发明的电路中第一PMOS管MP1、第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3和第三PMOS管MP3构成第一反相器,第二PMOS管MP2、第二NMOS管MN2、第四NMOS管MN4和第四PMOS管MP4构成第二反相器,用于存储相反的数据,即存储点Q和存储点QB的数据;...
本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种提高读噪声容限和写裕度的亚阈值SRAM存储单元电路。 背景技术 亚阈值设计因其超低能耗的特性而逐渐被广泛应用,特别是对SRAM这样具有高密度集成的电路。然而,随着电源电压降低,使得电路进入亚阈值区,存储单元受工艺波动影响更为显著,结果使得存储单元的稳定性降低甚至发生错误,这对...
一种提高读噪声容限和写裕度的亚阈值SRAM存储单元电路,属于集成电路技术领域。本发明的电路中第一PMOS管MP1、第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3和第三PMOS管MP3构成第一反相器,第二PMOS管MP2、第二NMOS管MN2、第四NMOS管MN4和第四PMOS管MP4构成第二反相器,用于存储相反的数据,即存储点Q和存储点QB的数据;第七NMO...
摘要 本实用新型公开了一种同时提高读噪声容限和写裕度的新型12管SRAM单元电路,该电路包括:四个PMOS管P1~P4和八个NMOS管N1~N8;其中,NMOS管N1和PMOS管P1组成一个反相器A1,该反相器A1输入端接字线WL,输出端接NMOS管N4的栅极,所述PMOS管P1的源极接片选CS,所述NMOS管N1的源极接地;PMOS管P4和NMOS管N7组成...