近来,氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料,得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”,与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比,氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV,更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带,因此氧化镓具有耐高压、耐高温、...
氧化镓(Gallium Oxide, Ga2O3)是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有高击穿电场强度、低理论导通损耗等优点,特别适合于高压、高频和高温的应用场景。相比传统材料如硅(Si)以及第三代半导体材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN),氧化镓在某些性能上表现出更大的优势,如更高的击穿电场强度(高达8 MV/cm)和更低的理论导通...
同时,氧化镓最稳定的异构体,β-Ga2O3的禁带宽度达到4.8eV , 理论击穿电场约8MV/cm。由此,巴利加优值 (Baliga’s Figure of Merit) 高达3444, 远超氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC),这意味着其用于功率器件的潜力巨大 , 使其成为下一代半导体功率电子的候选材料。由于应用场景的不同,对于氧化镓的单体以及参杂...
近来,氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料,得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”,与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比,氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV,高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV,更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能...
通过将氧化镓与其他宽禁带半导体(如铟镓氧化物(InGaO)和锌镓氧化物(ZnGaO))合金化,可以进一步调整禁带和其他特性以满足特定要求。 在光电子学领域,氧化镓在深紫外发光二极管(LED)和光电探测器方面具有潜在应用。其宽禁带可以在深紫外范围内实现高效发射,这对水净化、消毒和医疗应用非常有用。基于氧化镓的光电探测...
半导体产业网讯:从西安电子科技大学微电子学院官网获悉,近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应,实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管,功...
更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带,因此氧化镓具有耐高压(极强的临界场强)、高效率(更低导通电阻)、大功率、抗辐照等特性。在制造工艺方面,氧化镓晶体可以通过成熟的熔融法生长,相对第三代半导体SiC、GaN,可大幅度降低生产成本。基于氧化镓半导体的功率电子器件可在新能源汽车、充电桩、轨道...
氧化镓(Ga2O3)半导体具有禁带宽度大(Eg~4.8 eV)、击穿场强高(Ebr~8 MV/cm)、Baliga品质因数高(εμEbr3~3444)、生长成本低(可熔融法生产单晶衬底)等突出优点,是用于下一代高压高功率器件(肖特基势垒二极管(SBD)、金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET))和日盲紫外(波长200−280 nm)光电探测器的优选材料...
《宽禁带半导体氧化镓：结构、制备与性能》是2022年西安电子科技大学出版社出版的图书。内容简介 氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。《宽禁带半导体氧化镓：结构、制备与性能》从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质...